technische information / technical information netz-thyristor-modul phase control thyristor module tt 330 n 12...16 n elektrische eigenschaften / electrical properties h?chstzul?ssige werte / maximum rated values periodische vorw?rts- und rckw?rts-spitzensperrspannung t vj = - 40c...t vj max v drm , v rrm 1200, 1400 v repetitive peak forward off-state and reverse voltages 1600 v vorw?rts-sto?spitzensperrspannung t vj = - 40c...t vj max v dsm 1200, 1400 v non-repetitive peak forward off-state voltage 1600 v rckw?rts-sto?spitzensperrspannung t vj = + 25c...t vj max v rsm 1300, 1500 v non-repetitive peak reverse voltage 1700 v durchla?strom-grenzeffektivwert i trmsm 520 a rms on-state current dauergrenzstrom t c = 85c i tavm 330 a average on-state current sto?strom-grenzwert t vj = 25c, t p = 10ms i tsm 9100 a surge current t vj = t vj max , t p = 10ms 8000 a grenzlastintegral t vj = 25c, t p = 10ms i2t 414000 a2s i2t-value t vj = t vj max , t p = 10ms 320000 a2s kritische stromsteilheit din iec 747-6 (di t /dt) cr 250 a/s critical rate of rise of on-state current f = 50hz, i gm = 1a, di g /dt = 1a/s kritische spannungssteilheit t vj = t vj max , v d = 0,67 v drm (dv d /dt) cr critical rate of rise of off-state voltage 6. kennbuchstabe / 6th letter f 1000 v/s charakteristische werte / characteristic values durchla?spannung t vj = t vj max , i t = 800a v t max. 1,44 v on-state voltage schleusenspannung t vj = t vj max v (to) 0,8 v threshold voltage ersatzwiderstand t vj = t vj max r t 0,6 m w w slope resistance zndstrom t vj = 25c, v d = 6v i gt max. 200 ma gate trigger current zndspannung t vj = 25c, v d = 6v v gt max. 2,0 v gate trigger voltage nicht zndender steuerstrom t vj = t vj max , v d = 6v i gd max. 10 ma gate non-trigger current t vj = t vj max , v d = 0,5 v drm max. 5 ma nicht zndende steuerspannung t vj = t vj max , v d = 0,5 v drm v gd max. 0,2 v gate non-trigger voltage haltestrom t vj = 25c, v d = 6v, r a = 5 w w i h max. 300 ma holding current einraststrom t vj = 25c, v d = 6v, r gk 3 3 10 w w i l max. 1200 ma latching current i gm = 1a, di g /dt = 1a/s, t g = 20s vorw?rts- und rckw?rts-sperrstrom t vj = t vj max i d , i r max. 70 ma forward off-state and reverse currents v d = v drm , v r = v rrm zndverzug din iec 747-6 t gd max. 3,0 s gate controlled delay time t vj = 25c, i gm = 1a, di g /dt = 1a/s freiwerdezeit t vj = t vj max , i tm = 350a t q circuit commutated turn-off time v rm = 100v, v dm = 0,67 v drm dv d /dt = 20v/s, -di t /dt = 10a/s 5. kennbuchstabe / 5th letter o typ. 250 s isolations-prfspannung rms, f = 50hz, t = 1min v isol 3,0 kv insulation test voltage rms, f = 50hz, t = 1sec 3,6 kv mod-ma; r. j?rke 27. nov 97 a 122/97 seite/page 1(4)
technische information / technical information netz-thyristor-modul phase control thyristor module tt 330 n 12...16 n thermische eigenschaften / thermal properties innerer w?rmewiderstand pro modul / per module, q = 180sin r thjc max. 0,059 c/w thermal resistance, junction to case pro zweig / per arm, q = 180sin max. 0,117 c/w pro modul / per module, dc max. 0,056 c/w pro zweig / per arm, dc max. 0,111 c/w bergangs-w?rmewiderstand pro modul / per module r thck max. 0,020 c/w thermal resistance, case to heatsink pro zweig / per arm max. 0,040 c/w h?chstzul?ssige sperrschichttemperatur t vj max 135 c max. junction temperature betriebstemperatur t c op - 40...+135 c operating temperature lagertemperatur t stg - 40...+140 c storage temperature mechanische eigenschaften / mechanical properties geh?use, siehe anlage seite 3 case, see appendix page 3 si-elemente mit druckkontakt, amplifying-gate si-pellets with pressure contact, amplifying-gate innere isolation aln internal insulation anzugsdrehmoment fr mechanische befestigung toleranz / tolerance 15% m1 6 nm mounting torque anzugsdrehmoment fr elektrische anschlsse toleranz / tolerance +5% / -10% m2 12 nm terminal connection torque gewicht g typ. 800 g weight kriechstrecke 17 mm creepage distance schwingfestigkeit f = 50hz 50 m/s2 vibration resistance mit dieser technischen information werden halbleiterbauelemente spezifiziert, jedoch keine eigenschaften zugesichert. sie gilt in verbindung mit den zugeh?rigen technischen erl?uterungen. / this technical information specifies semiconductor devices but promises no characteristics. it is valid in combination with the belonging technical notes. mod-ma; r. j?rke 27. nov 97 seite/page 2(4)
technische information / technical information netz-thyristor-modul phase control thyristor module tt 330 n 12...16 n mod-ma; r. j?rke 27. nov 97 seite/page 3(4)
technische information / technical information netz-thyristor-modul phase control thyristor module tt 330 n 12...16 n analytische elemente des transienten w?rmewiderstandes z thjc fr dc analytical elements of transient thermal impedance z thjc for dc pos. n 1 2 3 4 5 6 7 0,0031 0,0097 0,0259 0,0359 0,0366 0,0009 0,0080 0,1100 0,6100 3,0600 mod-ma; r. j?rke 27. nov 97 seite/page 4(4) [ ] r c w thn / [ ] t n s analytisch e funktion z r e thjc thn t n n n : max = - ? ? ? ? ? - = ? 1 1 t
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